南亚科技新专利:气隙介电质半导体引领未来科技潮流!
在科技迅速发展的今天,半导体行业的每一项创新都可能引领新的潮流。近日,南亚科技股份有限公司获得了一项名为“具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法”的专利。这一专利的授予,不仅是公司技术实力的体现,更可能在未来的科技竞赛中占据一席之地。
首先,让我们先来了解一下这一技术的背景。半导体材料是现代电子产品的核心,而其性能的提高是电子设备高效能的关键。而气隙介电质的引入,正是为了减少电流流动过程中的能量损失,从而提升半导体的效率。有数据显示,传统半导体材料在高频条件下能量损失高达20%以上,这显然是一个亟需解决的问题。
iPhone 17 Pro新技术揭秘:低介电TEE屏幕与钛合金框架的完美结合
近期,关于苹果即将发布的iPhone 17 Pro和Pro Max的消息引起了广泛的关注。根据知名爆料者Jukanlosreve的报道,这两款旗舰手机将再度采用钛合金边框设计,并引入一种名为低介电TEE(低温电介质强化组件)的新型显示技术。这一全新的显示技术能显著降低能耗,并提高屏幕的耐用性,令消费者对于即将到来的新机充满期待。
低介电TEE技术是一种前沿的显示方案,与市面上现有的解决方案相比,具有更加出色的能耗控制与耐用性。虽然目前关于该技术的详细信息仍不多,但可以预见,这一创新在提升屏幕亮度与对比度的同时,还可能支持更高的刷新率,为用户提供更为流畅的视觉体验。这种屏幕技术将会改变我们与手机的互动方式,无论是观看视频、游戏体验,还是日常使用,都会更加顺畅。
2024越秀外滩樾(越秀外滩樾)官方网站-外滩樾百度百科+上海房天下
全城畅达:约360米新建路隧道(直线距离),快速直达陆家嘴CBD;,约670米外滩隧道(直线距离),直达外滩金融商业街以及老码头;约150米北横通道(直线距离)贯通全城,快速通达虹桥机场/虹桥火车站;,约2.4公里大连路隧道(直线距离),直达浦东东方路、世纪大道、八百伴商业圈
邱聪_经济学人-前瞻网
据Kalorama Information发布的《全球体外诊断市场第17版》报告,全球IVD市场预计将在2024年达到1092亿美元,其中免疫测定领域市场占比最大。从企业竞争来看,罗氏、丹纳赫...
AtomCell小基站
【摘要】作为vivo高端化战略的重要一环,X200系列承载着延续X100成功、进一步巩固vivo高端化地位的期望。 可惜,因为炫光等产品自身的问题,X200很可能成了vivo高端化战略的一枚哑炮,不
从不及格到满分,需要多久? 撰文蓝洞商业 赵卫卫 今年 2 月 23 日,昆仑万维创始人周亚辉在朋友圈评论,字节跳动在过去一年半的 AI 战略只有 40 分,此番「大实话」评价一度引起争议。
北京时间11月12日晚美股盘前,东南亚小腾讯Sea公布了2024年3季度财报,此次各项指标全面好于预期,可谓表现不俗,核心要点如下: 1、关键的Shopee电商板块,本季GMV达241亿,同比增长近25%,明显好于市场预期22%的同比增速
高性能超导导线制成
科技日报北京8月11日电(记者张梦然)美国布法罗大学领导的团队研制出世界性能最高的高温超导(HTS)导线段,为人类驾驭磁力开辟了全新可能性,其有望改变现有能源基础设施,甚至实现商业核聚变。相关报告发表在最新一期《自然通讯》上。
高温超导导线技术能在高于传统超导体所需温度下无阻力传输电力。新HTS导线以稀土钡铜氧化物为基础,涵盖所有磁场和从5开尔文到77开尔文的工作温度范围,这个温度范围高于传统超导体发挥作用所需的温度。
薄膜铁电光电存储器芯片
团队通过集成铁电存储以及硅光技术,首次实现了基于微环谐振器的非易失性光电存储芯片。此项创新性突破解决了非易失性存储器难以在光电两种模式下写入读出的问题,使用基于氧化铪的薄膜铁电材料与硅基半导体工艺兼容,适用于大规模集成。芯片展现出低工作电压、大存储窗口、长使用寿命以及多级存储能力,对推动下一代光电融合系统的发展具有里程碑式的意义,有望在光互连、高速数据通信及神经网络计算等领域的广泛应用中扮演关键角色,引领信息技术迈向新的高度。
增强界面静电吸附可实现无“刺猬刺”锌负极
近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员杨维慎、朱凯月团队在水系锌离子电池金属负极研究中取得新进展。团队利用阴离子表面活性剂增强了电极界面对锌离子的吸附,实现了高Zn(002)取向的无枝晶锌负极。相关成果
水系锌离子电池具有安全性高、成本低、离子电导率高、稳定性好等优点,在大规模储能方面有着广阔的应用前景。但是,金属锌负极在循环的过程中存在枝晶、腐蚀、析氢等问题,其中枝晶问题指的是在电池电极上形成的不规则、针状,如同“刺猬刺”一样的电极结构,它会导致电池短路失效,同时伴随一定的安全隐患,限制了水系锌离子电池的发展。
超导魔角石墨烯中的强谷间-电声子耦合效应
上海科技大学物质科学与技术学院拓扑物理实验室陈宇林、陈成团队利用纳米角分辨光电子能谱(Nano-ARPES)技术,发现了超导魔角石墨烯中显著的谷间-电声子耦合效应,并确定了相应的声子模式。这一发现对理解魔角石墨烯的超导机理具有重要意义。日前,相关成果在线发表于《自然》。
自被发现以来,魔角石墨烯因超导电性和强关联电子特性成为国际凝聚态物理研究的热点。其超导性来源于双层转角石墨烯在“魔角”条件下的平展能带,这极大增强了电子的相互作用,为研究莫特绝缘态、高温超导等强关联电子体系提供了新平台。此外,魔角石墨烯中存在独特的量子反常霍尔效应拓扑态,为实现拓扑超导等奇异量子态提供了可能。然而,科学家对魔角石墨烯精细的电子结构,特别是对其超导现象起源的理解尚未有定论。
Imec 的RF 硅中介层技术:无缝集成InP 芯片
在 IEEE IEDM 2024 上展示的突破性成果:通过射频硅中介层技术实现了磷化铟(InP)芯片的无缝集成。
该技术在140GHz频段下插入损耗仅为0.1dB,同时功率放大器(PA)组装后无性能下降,在毫米波通信和雷达传感领域具有广泛应用前景,还为推动更高频段的经济高效解决方案奠定了基础。
Imec 还公布了双排CFET架构,为先进节点逻辑和SRAM的规模化和工艺简化提供了新的优化途径,异质集成技术和标准单元优化对未来半导体发展方向的重要引领作用。